微电子器件和电路设计人员一直在寻求由能带隙工程提供的优异的传输特性和设计灵活性结合起来（如在化合物半导体如砷化镓和磷化铟常规实践），与传统的硅的高产量和低成本（Si）的制造。通过引入外延硅锗（SiGe）合金，这个梦想终于变成了现实。

在SiGe异质结双极晶体管（HBT）是在硅材料系统来实现所述第一实际带隙工程设备。的SiGe异质结双极晶体管的集成最佳的滋生硅互补金属氧化物半导体（CMOS），以形成的SiGe HBT BiCMOS技术是一个明显的适合于处理新出现的系统芯片和系统级级封装集成电路解决方案。

虽然SiGe技术享有通过毫米波电路与系统性能受限的模拟，数字和射频越来越重要，为此，可靠性问题目前都细致入微的挑战和令人兴奋的机会新兴锗应用领域包括空间系统，量子领域，电力电子和集成光子学。

集成电路可靠性的概念必须扩大超越经典诠释地址：

从直流到近万亿赫兹•健壮操作速度，在静态和动态电应力下，作为函数变化的阻抗环境和反馈机制

•在极端温度下运行

•内强烈的辐射场，包括总剂量，位移损伤，和单事件瞬态现象操作

扫描的SiGe HBT的电子显微照片。的SiGe合金显示为橙色。

照片由约翰·D克雷斯勒的